Aquí estoy discutiendo sobre el tema FET. FET es otro dispositivo semiconductor como BJT que se puede usar como interruptor, amplificador, resistencia, etc.
FET consta de 3 terminales.
- Drain (D)
- Fuente (S)
- Puerta (G)
En estos 3 terminales, el terminal Gate actúa como terminal de control. Sabemos que un BJT actúa como un dispositivo de control de corriente. Así, FET también actúa como un dispositivo de control de voltaje. Aquí, el voltaje entre la puerta y la fuente controla la corriente de drenaje. Por lo tanto, se denomina dispositivo controlado por voltaje.
FET Características:
- FET es más estable a la temperatura en comparación con BJT
- Requiere menos espacio comparado con BJT. Por lo tanto, se usa mucho en circuitos.
- FET tiene una impedancia de entrada más alta. Por lo tanto, es más útil en amplificadores.
Tipos de FET:
- Junction FET
- MESFET
- MOSFET
Aquí estoy discutiendo sobre el tema JFET.
FET de unión (JFET): básicamente el JFET se clasifica en 2 tipos.
- N-Channel JFET
- P-Channel JFET
N-Channel JFET: cuando consideramos una barra de silicio y un tipo n fabricado en sus dos extremos y materiales de tipo p fuertemente dopados en cada lado de la barra, la región delgada se mantendrá como se observa en la figura es el canal. Como este canal está en barra de tipo n, esto se denomina FET de canal n. Aquí la corriente la llevan los electrones.
P-Channel FET: cuando consideramos una barra de silicio y p-type fabricado en sus dos extremos y materiales de tipo n fuertemente dopados en cada lado de la barra, aquí la región delgada se mantuvo como se observa en la figura es canal. Como este canal está en barra de tipo n, esto se denomina FET de canal p. Aquí la corriente es transportada por agujeros.
Símbolos de JFET de canal N y JFET de canal P: 
Biasing JFET:
Unlimited JFET: En ausencia de cualquier voltaje aplicado, JFET tiene uniones de canal de compuerta sin condiciones de polarización. El resultado es una región de agotamiento en cada unión como se muestra en la figura.
Operación: En JFET, la unión pn entre el origen y la puerta es siempre mantenido en condiciones de polarización inversa. Por lo tanto, prácticamente en condiciones de polarización inversa la corriente es menor (cero).
Considere N-Channel JFET con puerta abierta y se aplica suministro entre puerta y fuente como se muestra En figura. Debido a las polaridades del voltaje aplicado, la mayoría de los operadores comienzan a fluir de la fuente al drenaje. La mayoría de los operadores básicamente se mueven a través del espacio entre las regiones de puerta. Este espacio se conoce como canal. El ancho del canal se puede controlar variando el voltaje de la compuerta. El efecto de la variación del ancho se puede observar en los siguientes casos.
Cuando conectamos un N-Channel JFET con la puerta conectada directamente al terminal de origen. Cuando se aplica voltaje de drenaje, una corriente de drenaje fluye a través del canal. Causa una caída de voltaje a través de la región de agotamiento para penetrar en el canal. Como la puerta está fuertemente dopada y el canal está levemente dopado, el ancho de la región de agotamiento se extiende al canal.
De la misma manera si aplicamos menos voltaje en la puerta, podemos obtener la región de agotamiento como se muestra en la figura y si aplicamos más voltaje en la puerta, podemos obtener la región de agotamiento que cubre todo el canal sin ningún espacio. Por lo tanto, no habrá flujo de corriente desde el desagüe hasta el canal de origen a través de la fuente.
La puerta al voltaje de origen que produce el corte se conoce como voltaje de corte.
VI Características del N-Channel JFET:
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